В Томском государственном университете прошло совещание с представителями Росатома по вопросам перспективной электроники. В рамках визита представители АО «РАСУ» и АО «РАМ» посетили дизайн-центр «Вертикаль» и центр исследований и разработок «Перспективные технологии в микроэлектронике» НИ ТГУ, а также обсудили направления и механизмы дальнейшего сотрудничества.
Специалисты ТГУ презентовали компетенции и имеющиеся наработки в области электроники и микроэлектроники, которые потенциально могут быть востребованы компаниями Росатома. В частности, речь шла о разработке и поставке электронной компонентной базы на основе широкозонных полупроводниковых соединений для силовой электроники и полупроводниковых детекторов ионизирующих излучений на основе арсенида галлия (GaAs).
– Силовая электроника на основе кремниевой компонентной базы в настоящий момент достигла предела теоретического совершенства. В связи с этим переход к ЭКБ на основе нитрида галлия и карбида кремния является единственным путем для дальнейшего совершенствования вторичных источников электропитания и преобразователей электроэнергии. Именно в этом направлении мы видим перспективы для сотрудничества с Росатомом, – сказал заместитель директора дизайн-центра «Вертикаль» НИ ТГУ Валерий Кагадей.
По мнению участников встречи, компетенции ТГУ могут быть потенциально востребованы при реализации комплексной программы «Электроника и микроэлектроника» Госкорпорации «Росатом», при проектировании и разработке интегрированных решений и устройств для их дальнейшего использования в составе интеллектуальных систем гражданского назначения.
На данном этапе ТГУ, АО «РАСУ» и АО «РАМ» договорились создать совместную рабочую группу для проработки вопросов дальнейшего взаимодействия, в том числе в области энергоэффективности.
