Победитель программы «У.М.Н.И.К.» 2011 года в городе Томске (ФГБОУ ВПО «Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники») разработал технологию изготовления транзисторов для монолитных интегральных схем сверхвысокого диапазона частот. Разработанная технология может быть использована при производстве устройств, где требуются высокая степень усиления сигнала и низкий шум на больших частотах: мобильные телефоны, широкополосные спутниковые ресиверы, системы электронного обнаружения (радары и радиотелескопы).
Основным преимуществом разработанной технологии перед существующими аналогами является отказ от драгоценных металлов (золото, платина, палладий) в пользу меди и медно-германиевых соединений, полученных низкотемпературной обработкой в потоке атомарного водорода, что в конечном счете позволит снизить себестоимость изготовления схем на 10-15% при одновременном улучшении их параметров.
В результате работы над проектом удалось установить, что низкотемпературная (t ≈ 20–25ºC) обработка тонких пленок германия и меди, нанесенных последовательно на GaAs подложку, в потоке атомарного водорода приводит к взаимодиффузии атомов меди и германия и образованию медно-германиевого соединения. Ранее подобный эффект наблюдался при высокотемпературной обработке в течение длительного времени.
Результатами деятельности Казимирова А.И. на сегодняшний день являются научные статьи в отечественных и зарубежных журналах, выступления на научных конференциях, некоторые из которых удостоены дипломов I степени, патент на изобретение «Способ получения тонкопленочного медно-германиевого соединения» (№2458429 РФ, Е.В. Ерофеев (РФ), А.И. Казимиров (РФ), В.А. Кагадей (РФ). – № 2 011 110 496; заявл. 10.03.2011; опубл. 10.08.2012.).
