Победитель программы «УМНИК» 2008 года в городе Томск (ТУСУР), организовала учебно-научную лабораторию и центр коллективного пользования по диагностике наноструктур методами электронной и молекулярной спектроскопии при ТУСУР. Созданная лаборатория предназначена для проведения научно-исследовательских работ в области разработки комплексных методов диагностики наноразмерных полупроводниковых и диэлектрических структур, их электрических и оптических свойств с целью создания изделий наноэлектроники, в частности монолитных интегральных схем СВЧ диапазона на основе соединений A3B5, а также предназначена для организации и проведения лабораторного практикума для подготовки бакалавров и магистров по направлению 210100 «Электроника и наноэлектроника».
Организованный в рамках программы «УМНИК» центр коллективного пользования позволяет повысить информативность проводимых исследований за счет комплексности методов и дает возможность гибкой интеграции научно-исследовательской базы в учебный процесс.
В 2009 г. на Конкурсе на лучший инновационный проект в рамках группового проектного обучения (ТУСУР) проект был отмечен дипломом за «Самый актуальный и востребованный проект для ТУСУР». В 2012 г. проект награжден дипломом III степени на Региональной выставке научных достижений молодых ученых «СибНова-2012» и дипломом конкурса «Сибирские Афины-2012». Студентами, выполняющими свои научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы в центре коллективного пользования, с 2008 г. опубликовано свыше 50 работ, в том числе около 10 работ в журналах из перечня ВАК, а также получено 5 патентов.
Разработан комплекс методов диагностики наноразмерных полупроводниковых и диэлектрических структур и их электрических и оптических свойств с целью создания изделий наноэлектроники, в частности монолитных интегральных схем СВЧ-диапазона на основе соединений AΙΙΙBV. Разработанные методики внедрены в опытное производство ЗАО НПФ Микран (г. Томск), ОАО НИИ ПП (г. Томск), СФТИ при НИ ТГУ (г. Томск). Созданы учебно-научная лаборатория и комплекс лабораторных работ для направления подготовки 210100 «Электроника и наноэлектроника» и выполняется х/д НИОКР 73/10 «Разработка высокоэффективных и надежных полупроводниковых источников света и светотехнических устройств и организация их серийного производства» на 2010-2012 гг. (в рамках реализации постановления Правительства РФ № 218).
